Чистка углекислотой – это разновидность криогенного бластинга, технология мягкой очистки поверхностей от вязких загрязнений и пыли.

Технология мягкого бластинга была разработана и запатентована немецкой компанией-производителем Mycon и является уникальной. Суть этой технологии заключается в том, что жидкая углекислота преобразуется в микрокристаллы сухого льда непосредственно в форсунке бластинга, без труда удаляет вязкие и поверхностные загрязнения не разрушая очищаемую поверхность.

Технология криогенного бластинга активно развивается за счет уникальных свойств углекислоты, аппараты серии IceMaster используют в качестве расходного материала жидкую углекислоту и работают по технологии «мягкого бластинга».

Чистка углекислотой

Технология очистки является многоуровневой:

  1. Крио эффект – кристаллы сухого льда при выходе из сопла имеет собственную температуру минус -79 С, таким образом поверхность загрязнения становится хрупкой.
  2. Кинетическая – гранулы сухого льда достигают скорости звука на выходе из сопла, огромное количество кинетической энергии выделяемой при соприкосновении с хрупкой поверхностью загрязнения образует микротрещины в которые проникают кристаллы сухого льда.
  3. Сублимация – кристаллы сухого льда проникая внутрь загрязнения моментально испаряются. При переходе из твердого состояния в газообразное их объем увеличивается в 600 – 700 раз, что вызывает взрывной эффект, разрывающий загрязнение изнутри.

Технология «мягкого бластинга» лучше всего подходит для очистки хрупких, мягких и деликатных поверхностей, очистки антикварных изделий и предметов искусства, очистки фасадов от граффити и рисунков, очистка подкапотного пространства и технологического, станочного, печатного оборудования и электрооборудования.

Чистка углекислотой Чистка углекислотой Чистка углекислотой


Достоинства:

  • Универсальность;
  • Экономия времени. Загрязнения устранятся быстро, разборки, а иногда и остановки работы оборудования не требуется;
  • Безопасность для персонала и окружающей среды;
  • Щадящее воздействие на очищаемую поверхность.